[发明专利]提升小波快速算法VLSI实现的存储器控制方法

摘要

本发明公开了一种用于提升小波快速算法VLSI实现的存储器控制方法，对于m/n拍小波(这里，m为低通滤波器阶数，n为高通滤波器阶数)，M×N的输入图像，使用m+2个M大小的寄存器，接收串行的输入，并行输出数据，使得行变换和列变换能够流水线的进行；采用了控制寄存器写的方式进行列的前端扩展，有别于以往的先对数据进行寄存然后进行扩展的方式，节省了存储空间，并且提高了变换的速度；采用了控制寄存器写和对称补齐的方式进行列的后端扩展。本发明通过采用并行的嵌入式缓存，将串行的输入转化为并行的输出，实现了小波行列变换间的流水操作，并且完全通过对寄存器的读写控制，实现了行数据的前端和后端扩展，结构简单，提高了运行速度。

主权项

1.一种用于提升小波快速算法VLSI实现的存储器控制方法，其特征在于，包括存储器选择、写控制与前端扩展、读控制与后端扩展三部分，并按照以下步骤实现：1)存储器的选择对于m/n拍小波(m为低通滤波器阶数，n为高通滤波器阶数)，M×N的输入图像，使用(m+2)×M大小的DPRAM作为寄存器，将串行的输入变成并行的输出，在对m个存储器进行读操作时，同时对剩下的2个存储器进行写操作，始终保持有2个需要更新的存储器在读其余m个存储器时进行写操作，使小波行变换和列变换能够流水线的进行；2)写控制与前端扩展采用控制寄存器写的方式进行列的前端扩展，对于m/n小波，需要进行个数据的前端扩展，通过控制将行变换后产生的第一行数据写入第个存储器中，第二行数据同时写入第和第个寄存器，直至将第个数据写入第1和第2个寄存器，完成了数据的前端扩展；个后的数据依次循环写入寄存器中，写完m个寄存器后，发出读使能信号，将开始读取前m行的数据，同时，进行m+l和m+2行的写操作；3)读控制与后端扩展对于m/n小波的列变换，在读出数据时，控制一次读出m个寄存器中的数据，并对其进行列变换；数据的后端扩展采用控制寄存器读的方式来完成，需要进行个数据的后端扩展，当判断读到行的最后一个数据时，依次循环读出m-1，m-3，…m-1-2个数据，并根据行的最后一个数据进行对称补齐，完成了行数据的后端扩展。