[发明专利]溅射靶及其制造方法无效
申请号: | 03104948.6 | 申请日: | 2003-02-27 |
公开(公告)号: | CN1441082A | 公开(公告)日: | 2003-09-10 |
发明(设计)人: | 向后雅则;稻生俊雄;内田雅人 | 申请(专利权)人: | 东曹株式会社 |
主分类号: | C23C14/34 | 分类号: | C23C14/34;C23C14/06;G11B7/26;G11B7/24 |
代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人: | 龙淳 |
地址: | 暂无信息 | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明提供一种溅射靶,该溅射靶在溅射中没有裂纹或开口,不发生异常放电,而且能够稳定地进行溅射,并能够以高的生产率得到记录再现性能优异的相变化光记录媒体。由一种以上选自氧化物的物质和一种以上选自碳化物的物质构成的烧结体形成溅射靶,该烧结体中的碳化物含量在0.1wt%以上20wt%以下,相对密度在70%以上。特别是由含有Ta氧化物和Si碳化物的烧结体来构成溅射靶,该烧结体中Si碳化物的含量在0.1wt%以上和20wt%以下,而且相对密度在70%以上。 | ||
搜索关键词: | 溅射 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种溅射靶,其特征为:由一种以上选自氧化物的物质和一种以上选自碳化物的物质组成的烧结体构成,其中所述碳化物的含量为0.1wt%以上20wt%以下,而且所述烧结体的相对密度为70%以上。
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