[发明专利]沟道蚀刻薄膜晶体管有效
| 申请号： | 03103798.4 | 申请日： | 2003-02-24 |
| 公开（公告）号： | CN1440080A | 公开（公告）日： | 2003-09-03 |
| 发明（设计）人： | 奥村展 | 申请（专利权）人： | 日本电气株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;G02F1/136 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 关兆辉,张天舒 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种沟道蚀刻薄膜晶体管，沟道蚀刻薄膜晶体管具有：源极，其包括源极主部和源极引线部；以及漏极，其包括漏极主部和漏极引线部。源极引线部和漏极引线部中的至少一个具有侧接触部，该侧接触部直接与有源层的侧壁接触。侧接触部的平均宽度比源极主部和漏极主部中的对应一方的平均宽度窄。 | ||
| 搜索关键词： | 沟道 蚀刻 薄膜晶体管 | ||
【主权项】：
1.一种沟道蚀刻薄膜晶体管，包括：栅极，其位于基板的上方；栅极绝缘膜，其在所述栅极和所述基板的上方延伸；有源层，其包括沟道区，该沟道区位于所述栅极绝缘膜的上方；源区和漏区，其位于所述有源层上；源极，其与所述源区连接，以及所述源极包括：源极主部，其与所述源区接触，以及源极引线部，其从所述源极主部延伸；以及漏极，其与所述漏区连接，以及所述漏极包括：漏极主部，其与所述漏区接触，以及漏极引线部，其从所述漏极主部延伸；其中，所述源极引线部和所述漏极引线部中的至少一个具有侧接触部，该侧接触部直接与所述有源层的侧壁接触，以及所述侧接触部的平均宽度比所述源极主部和所述漏极主部中的对应一个的平均宽度窄。
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