[发明专利]处理液配制和供给方法及装置无效
| 申请号： | 03101512.3 | 申请日： | 2003-01-16 |
| 公开（公告）号： | CN1433049A | 公开（公告）日： | 2003-07-30 |
| 发明（设计）人： | 中川俊元;片桐优子;小川修;小早川泰之;菊川诚;斋藤丰;西嶋佳孝 | 申请（专利权）人： | 株式会社平间理化研究所;长濑产业株式会社;长濑CMS科学技术株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 郭建新 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 处理液配制及供给装置，包括溶解配制池，向所述溶解配制池供给原料粉末和超纯水。该溶解配制池通过管子与基片处理装置相连，并将由原料粉末配制的处理液原位供给所述处理装置。为了降低超纯水中微生物浓度的增加，该超纯水基本上是不断循环的。在将该处理液供给使用方时，这样会抑制用于处理半导体基片的处理液的变质及浓度波动。这样还会减少颗粒并且提高经济效率。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 配制 供给 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种处理液配制和供给方法，所述方法配制用于处理其上需要形成元件的基片的处理液，并且将所述处理液供给处理所述基片的步骤，该方法包括：配制步骤，该步骤通过在纯水中溶解所述处理液的固体原料来配制所述处理液；以及供给步骤，该步骤通过管线将所述处理液供给基片处理步骤，其中在所述配制步骤中，所述纯水被循环或使之基本上不断地流动。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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