[发明专利]半穿透半反射式像素结构有效
| 申请号： | 03100940.9 | 申请日： | 2003-01-08 |
| 公开（公告）号： | CN1515944A | 公开（公告）日： | 2004-07-28 |
| 发明（设计）人： | 吕安序 | 申请（专利权）人： | 广辉电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/136 | 分类号： | G02F1/136;G02F1/1343;H01L21/3205 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 王琼 |
| 地址： | 中国*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种半穿透半反射式像素结构，适于架构在一基板上，其包括一扫描配线，配置在基板上；一闸介电层，配置于基板上并覆盖住扫描配线；一数据配线，配置于闸介电层上；一保护层，配置于部分闸介电层上并覆盖住资料配线；一透明像素电极，配置于保护层上；一反射像素电极，配置在暴露的闸介电层上；以及一双漏极薄膜晶体管，配置于基板上，其中双漏极薄膜晶体管具有一闸极、一信道层、一源极以及二漏极，源极与资料配线电性连接，二漏极分别与透明像素电极以及反射像素电极电性连接，而闸极与扫描配线电性连接。 | ||
| 搜索关键词： | 穿透 反射 像素 结构 | ||
【主权项】：
1.一种半穿透半反射式像素结构，适于架构在一基板上，该半穿透半反射式像素结构包括：双漏极薄膜晶体管，配置于该基板上并位于该像素结构的中央，其中该双漏极薄膜晶体管具有一闸极、一信道层、一源极以及二漏极；扫瞄配线，配置在该基板上，且该扫瞄配线与该双漏极薄膜晶体管的该闸极电性连接；数据配线，配置于该基板上，其中该数据配线的延伸方向与该扫描配线的延伸方向不同，且该资料配线与该双漏极薄膜晶体管的该源极电性连接；透明像素电极，配置于该基板上，其中该透明像素电极与该双漏极薄膜晶体管的其中一个所述二漏极电性连接；以及反射像素电极，配置在该基板上，其中该反射像素电极与该双漏极薄膜晶体管的另一所述二漏极电性连接。
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