[发明专利]半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 03100297.8 | 申请日： | 2003-01-09 |
| 公开（公告）号： | CN1431715A | 公开（公告）日： | 2003-07-23 |
| 发明（设计）人： | 小泽良夫;田中正幸;宫野清孝;斋田繁彦 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 段承恩,陈海红 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供具有可以减小栅极电极与源极/漏极扩散区域(包括其布线)之间的寄生电容、可以进行高速动作的栅极结构的半导体器件及其制造方法。作为在半导体衬底11上形成的栅极电极13或被栅极保护绝缘膜14被覆起来的栅极电极13的侧面上形成的侧壁绝缘膜15，使用含氯的硅氧化物。可以减小栅极电极和包括布线的源极/漏极区域之间的寄生电容，器件的高速动作成为可能。在栅极电极侧壁部分上设置含氯的硅氮化膜以形成晶体管元件，然后把该硅氮化膜变换成含氯的硅氧化膜，作为栅极侧壁绝缘膜使用。可以无元件特性的不均一或短路地形成低寄生电容的晶体管元件。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，其特征在于，具备：半导体衬底；在上述半导体衬底主面上形成的源极/漏极区域；在上述半导体衬底主面上形成的栅极绝缘膜；在上述源极/漏极区域的一部分和在该区域间的上面配置的上述栅极绝缘膜上形成的栅极电极；在上述栅极电极的侧面上形成的栅极侧壁绝缘膜，上述栅极侧壁绝缘膜由含有0.1原子％或以上的氯的硅氧化物构成。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社东芝，未经株式会社东芝许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/03100297.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：监测医疗装置的充装的导电图案
- 下一篇：电冰箱
- 同类专利
- 专利分类
