[发明专利]闪存的制造方法

摘要

一种闪存的制造方法，其方法是先提供已依序形成有隧道介电层、导体层与掩膜层的半导体基底，接着图案化掩膜层、导体层、隧道介电层与基底以形成沟渠于基底中，然后于沟渠中形成绝缘层，且绝缘层的表面介于导体层与基底之间。接着于掩膜层与部分导体层的侧壁形成导体间隙壁，导体层与导体间隙壁构成浮置栅极。接着移除掩膜层，于浮置栅极上形成栅间介电层，然后于基底上形成控制栅极。

主权项

1.一种闪存的制造方法，该方法包括下列步骤：提供一基底，该基底上已依序形成有一隧道介电层、一导体层与一掩膜层；图案化该掩膜层、该导体层、该隧道介电层与该基底以形成一沟渠于该基底中；于该沟渠中形成一绝缘层，且该绝缘层的表面介于该导体层与该基底之间；于该掩膜层与部分该导体层的侧壁形成一导体间隙壁，该导体层与该导体间隙壁构成一浮置栅极；移除该掩膜层；于该浮置栅极上形成一栅间介电层；以及于该基底上形成一控制栅极。