[发明专利]闪存的制造方法

摘要

一种闪存的制造方法，此方法是先提供已形成有第一栅极结构与第二栅极结构的基底，且第一栅极结构与第二栅极结构各自是由一介电层、一第一导体层与一顶盖层所构成。接着，于基底上形成隧道氧化层，并于第一导体层的侧壁形成第一间隙壁后，于第一栅极结构与第二栅极结构预定形成源极区的一侧的侧壁上形成第二导体层，并于基底中形成源极区。然后，于第二导体层上形成栅间介电层，并于源极区的基底表面形成绝缘层。于第一栅极结构与第二栅极结构之间形成第三导体层后，于基底中形成漏极区。

主权项

1.一种闪存的制造方法，该方法包括下列步骤：提供一基底，该基底上已形成有一第一栅极结构与一第二栅极结构，该第一栅极结构与该第二栅极结构各自是由一介电层、一第一导体层与一顶盖层所构成；于该基底上形成一隧道氧化层，并于该第一导体层的侧壁形成一第一间隙壁；于该第一栅极结构与该第二栅极结构预定形成一源极区的一侧的侧壁上形成一第二导体层；于该基底中形成该源极区；于该第二导体层上形成一栅间介电层，并于该源极区的该基底表面形成一绝缘层；于该第一栅极结构与该第二栅极结构之间形成一第三导体层；以及于该基底中形成该漏极区。