[发明专利]一种可矩阵寻址光电设备以及该相同设备中的电极装置无效
| 申请号: | 02822841.3 | 申请日: | 2002-11-01 |
| 公开(公告)号: | CN1589477A | 公开(公告)日: | 2005-03-02 |
| 发明(设计)人: | H·G·古德森;G·I·莱斯塔德;P·-E·诺尔达尔 | 申请(专利权)人: | 薄膜电子有限公司 |
| 主分类号: | G11C5/02 | 分类号: | G11C5/02;G11C11/22;H01L29/41 |
| 代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 李亚非;张志醒 |
| 地址: | 挪威*** | 国省代码: | 挪威;NO |
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| 摘要: | 一种可矩阵寻址光电设备包括一种以光电活性材料(3)形式的功能介质,所述活性材料提供在第一和第二电极装置(EM1,EM2)之间夹层结构的全局层上,第一和第二电极装置具有平行条形电极(1;2),其中第二电极装置(EM2)的电极(2)与第一电极装置(EM2)的电极(1)以一定的角度定向,功能元件(5)在活性材料中形成,其中各电极(1,2)交迭并对应于显示设备中的光学活性像素(5)或光检测器中的像素(5),这取决于所使用的活性材料(3)。在每个电极装置(EM1;EM2)中,电极(1;2)具有一种致密的平行结构,并且利用薄膜(6)相互绝缘,其中薄膜厚度仅有电极宽度的几分之一。这允许活性材料(3)中像素(5)填充因子趋于一,和相应的高度像素化,从而提供了一种具有高表面亮度和高分辨率的显示器,或者一种具有高灵敏度和高分辨率的光学检测器。 | ||
| 搜索关键词: | 一种 矩阵 寻址 光电 设备 以及 相同 中的 电极 装置 | ||
【主权项】:
1、一种可矩阵寻址的光电设备,包括一种光电活性材料形式的功能介质(3),它被提供在第一和第二电极装置(EM1,EM2)之间夹层中的全局层上,每一个电极装置都具有平行的条形电极(1;2),其中第二电极装置(EM2)的电极(2)与第一电极装置(EM1)的电极(1)以一定的角度来定向,其中功能元件(5)在第一电极装置(EM1)的第一电极(1)和第二电极装置(EM2)的第二电极(2)之间相应交迭部分所限定的活性材料(3)的体积中形成,以便提供一种具有与活性材料(3)接触的电极(1,2)的可矩阵寻址阵列,其中活性材料中的的功能元件(5)可以通过给限定该元件的交叉电极(1,2)施加电压来激活,从而在显示设备中形成光发射、光吸收、反射或极化像素,或可替换地利用入射光来激活从而在光检测器中形成像素并通过在该像素上交叉的电极(1,2)输出电压,所述活性材料(3)在以上任何一种情况下都被选为无机材料或有机材料,并且当被施加的电压激活时,能够根据预定功能来发射、吸收、反射或极化光,或者被入射光激励时,能够输出电压或电流,或者两者兼有,由此在任何情况下都在可矩阵寻址方案中发生了像素(5)的寻址,并且其中电极组(EM1;EM2)中的至少一个中的电极(1;2)由透明或半透明材料制成,其特征在于,每个电极装置(EM1;EM2)的电极(1;2)都被提供在相应的电极层上,电极装置(EM1;EM2)中的电极(1;2)都具有大致相同的宽度w,每个电极装置(EM1,EM2)的电极(1;2)都利用厚度为δ的绝缘薄膜(6)来相互电绝缘,δ的大小是宽度w的几分之一,并且w的最小值的大小与工艺约束的最小特征尺寸大小f是可比较的,籍此在与其相关的光电活性材料(3)中像素(5)的填充因子接近于1,并且像素(5)数目接近由夹在电极装置(EM1;EM2)之间的活性材料(3)的总面积A以及所述特征尺寸大小f来限定的最大值,因而所述最大值通过A/f2来限定。
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