[发明专利]带有自对准源极和接触的沟槽型场效应晶体管无效
| 申请号： | 02817409.7 | 申请日： | 2002-09-03 |
| 公开（公告）号： | CN1552102A | 公开（公告）日： | 2004-12-01 |
| 发明（设计）人： | 亚当I·阿马利;纳雷什·撒帕尔 | 申请（专利权）人： | 国际整流器公司 |
| 主分类号： | H01L29/76 | 分类号： | H01L29/76;H01L29/94 |
| 代理公司： | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 方挺;葛强 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种沟槽型功率MOS栅器件，带有多个隔开的衬有氧化物并填充导电多晶硅的沟槽。多晶硅填料的顶部低于所述硅的顶面；并被与所述硅的顶部平齐的淀积的氧化物覆盖；横向范围短的源极区域延伸入所述的沟槽壁至低于所述多晶硅的顶部的深度。形成的沟槽终端带有绝缘的氧化物衬垫，其依次被多晶硅层、淀积的氧化物覆盖。 | ||
| 搜索关键词： | 带有 对准 接触 沟槽 场效应 晶体管 | ||
【主权项】：
1.一种沟槽型功率金属氧化物半导体栅器件，包括带有N-漂移区以及形成在所述N-漂移区上的P型沟道的硅芯片模；在所述硅芯片模的上部内形成的多个隔开的沟槽，所述沟槽沿所述P基体垂直延伸进入所述N-漂移区；每个所述沟槽在其壁上带有栅电介质并填充导电的多晶硅填料至低于所述硅的顶面的高度；形成在所述多晶硅填料的每一个上的氧化物栓塞，所述氧化物栓塞填充所述沟槽至至少其顶部；形成进所述沟槽壁的顶部的隔开的N+源扩散区，它们在每个所述沟槽的顶部带有短的横向延伸，并延伸至所述多晶硅填料的顶部下方给定的深度；覆盖所述硅上部的源极，其与所述N+源极区域和所述N+源极区域之间的P沟道区域相接触。
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