[发明专利]用于制作MIM电容器的方法无效
| 申请号： | 02816933.6 | 申请日： | 2002-08-13 |
| 公开（公告）号： | CN1639861A | 公开（公告）日： | 2005-07-13 |
| 发明（设计）人： | 窦格拉斯·R·罗伯茨;埃里克·卢科斯基 | 申请（专利权）人： | 自由度半导体公司 |
| 主分类号： | H01L21/8242 | 分类号： | H01L21/8242 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种制作金属－绝缘体－金属(MIM)电容器结构的方法包括在半导体衬底(10)的介质层(20)中制作凹槽。在凹槽内制作第一电容器电极(30，40)，凹槽中具有铜第一金属层(30)和在第一金属层(30)上制作的导电的氧化阻挡层(40)。将第一电容器电极(30，40)相对于介质层(20)进行平整。在第一电容器电极(30，40)上制作绝缘体(50)，而且在绝缘体(50)上制作第二电容器电极(65)。在凹槽内制作第一电容器电极(30，40)使铜第一金属层(30)的周边与导电的氧化阻挡层(40)保持对准。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制作 mim 电容器 方法 | ||
【主权项】：
1、一种制作金属-绝缘体-金属电容器结构的方法，包括：提供半导体衬底(10)；在半导体衬底(10)上制作介质层(20)；在介质层(20)上制作凹槽(205)；在凹槽中制作第一金属层(30)，第一金属层包含铜；对第一金属层(30)制作凹槽；在第一金属层(30)上制作第二金属层(40)，第二金属层(40)是用作第一金属层(30)的导电的氧化阻挡层；在第二金属层(40)上制作绝缘体(50)；以及在绝缘体(50)上制作第三金属层(60)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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