[发明专利]用于相移式掩膜的原位平衡无效
| 申请号： | 02813250.5 | 申请日： | 2002-08-22 |
| 公开（公告）号： | CN1668978A | 公开（公告）日： | 2005-09-14 |
| 发明（设计）人： | 江·陶;齐德·钱 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | G03F1/00 | 分类号： | G03F1/00 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 杜娟 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明描述了一种形成掩膜的方法，包括：提供衬底，所述衬底具有第一厚度；在该衬底上形成平衡层，所述平衡层具有第二厚度；在该平衡层上形成吸收层，所述吸收层具有被第三区域从第二区域分隔开的第一区域；去除所述第一区域和第二区域中的吸收层；去除所述第二区域中的平衡层；以及将所述第二区域中的所述衬底减小到第三厚度。本发明还描述了一种掩膜，包括：吸收层，所述吸收层具有第一开口和第二开口，所述第一开口露出设置在具有第一厚度的所述衬底上的平衡层，所述第二开口露出具有第二厚度的所述衬底。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 相移 式掩膜 原位 平衡 | ||
【主权项】：
1.一种方法，包括：提供衬底，所述衬底具有第一厚度；在所述衬底上形成平衡层，所述平衡层具有第二厚度；在所述平衡层上形成吸收层，所述吸收层具有被第三区域从第二区域分隔开的第一区域；去除所述第一区域和所述第二区域中的所述吸收层；去除所述第二区域中的所述平衡层；以及将所述第二区域中的所述衬底减小到第三厚度。
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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