[发明专利]探针的制造方法及探测卡的制造方法无效

专利信息
申请号: 02809900.1 申请日: 2002-05-27
公开(公告)号: CN1514938A 公开(公告)日: 2004-07-21
发明(设计)人: 蛸岛武尚;奈良崎亘;秦诚一;下河边明 申请(专利权)人: 爱德万测试株式会社
主分类号: G01R1/073 分类号: G01R1/073;H01L21/66
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 代理人: 王学强
地址: 日本东京*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 一种探测卡的制造方法,其特征在于,包括使特有过冷却液体温度域,具有所定形状的若干个非晶质合金层形成于所定基板的阶段,使非晶质合金层加热至过冷却液体温度域的阶段、使非晶质合金层冷却至比过冷却液体温度域较低温度的阶段,以及在使非晶质合金层冷却至比过冷却液体温度域较低温度的状态,将所定基板的最少部分去除的阶段。
搜索关键词: 探针 制造 方法 探测
【主权项】:
1.一种探测卡的制造方法,是具有若干个探针以电气的接连于设在一个被试验电路上的接连端子,在该被试验电路与试验该被试验电路的一个试验装置之间,实行讯号传送的探测卡的制造方法,其特征在于,包括:为形成这些若干个探针的一个探针形成基板的准备阶段;在该探针形成基板的若干个领域,形成持有一个过冷却液体温度域,具有所定形状的非晶质合金层的阶段;使该非晶质合金层加热至该过冷却液体温度域的阶段;使该非晶质合金层冷却至比该过冷却液体温度较低温度的阶段;具有传送该讯号的传送线路,保持该非晶质合金层的一个保持基板的准备阶段;使该非晶质合金层的一部分与该传送线路接合的阶段;以及该非晶质合金层在比该过冷却液体温度域较低温度的状态,使该探针形成基板的最少部分去除的阶段。
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