[发明专利]用于制造多层的衰减相移光掩模坯件的离子束淀积工艺无效
| 申请号： | 02808376.8 | 申请日： | 2002-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN1503926A | 公开（公告）日： | 2004-06-09 |
| 发明（设计）人： | P·F·卡西亚;L·迪厄 | 申请（专利权）人： | 纳幕尔杜邦公司 |
| 主分类号： | G03F1/00 | 分类号： | G03F1/00;C23C14/00;G03F1/08;C23C14/06 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 王岳;张志醒 |
| 地址： | 美国特拉华*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种用于制造衰减相移光掩模坯件的单离子束淀积、或者双离子束淀积工艺，所述坯件能够在选定的＜400nm的平板印刷波长上产生180°的相移，并且其透光率至少是0.001，它包括以周期性或非周期性的方式布置的至少一层透光和/或一层吸光元素或化合物材料。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制造 多层 衰减 相移 光掩模坯件 离子束 工艺 | ||
【主权项】：
1.一种用于制备衰减相移光掩模坯件的双离子束淀积工艺，所述光掩模坯件能够在低于400nm的选定平板印刷波长上产生180°的相移，所述工艺包括：(a)通过利用来自一组气体的离子对至少一个主靶进行离子束溅射，从而在基片上淀积至少一层透光材料和至少一层吸光材料或者它们的组合，以及(b)在所述基片上通过来自一组气体的辅助源的第二离子束淀积至少一层透光材料和吸光材料或者它们的组合，其中该层或该几个层直接形成，或者通过让来自辅助源的气体离子与从主靶淀积到基片上的材料结合来形成。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于纳幕尔杜邦公司，未经纳幕尔杜邦公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/02808376.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
