[发明专利]用于有机硅酸盐玻璃低K介质腐蚀应用的用于O2和NH3的蚀刻后光刻胶剥除有效
| 申请号： | 02808158.7 | 申请日： | 2002-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN1633701A | 公开（公告）日： | 2005-06-29 |
| 发明（设计）人： | R·V·安娜普拉加达;I·J·莫里;C·W·何 | 申请（专利权）人： | 兰姆研究有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311;G03F7/42;H01L21/768 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 吴立明;梁永 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供一种用于从形成有至少一层的OSG电介质的半导体晶片上剥除光刻胶的工艺。与其它集成电路制造工艺相应地原位或在外部构成剥除工艺。该工艺包括一种本质上为氧化反应或还原反应的反应。氧化反应利用氧等离子体。还原反应利用氨等离子体。本发明的工艺与以前公知的剥除方法相比产生更快的灰化速率且几乎对OSG电介质没有损伤。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 有机 硅酸盐 玻璃 介质 腐蚀 应用 sub nh 蚀刻 光刻 剥除 | ||
【主权项】：
1.一种用于从包含至少一层有机硅酸盐玻璃电介质的晶片上剥除光刻胶的方法，该方法包括：将该晶片放入一反应室；将剥除气体的气流引入该反应室，该剥除气体包含一种活性剥除剂，其中该活性剥除剂选自由氧气和氨气组成的组；以及使用该剥除气体，在该反应室中形成等离子体，由此从晶片上剥除该光刻胶。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
