[发明专利]基板处理装置的清洁方法和基板处理装置无效
| 申请号： | 02805470.9 | 申请日： | 2002-03-05 |
| 公开（公告）号： | CN1620717A | 公开（公告）日： | 2005-05-25 |
| 发明（设计）人： | 大岛康弘 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/31 | 分类号： | H01L21/31;C23C16/44;H01L21/3065 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 将使羧酸气化的清洁气体供给至附着绝缘性物质的处理室内，同时对处理室内部进行真空排气。当供给至处理室内的清洁气体与附着在处理室内壁和基座上的绝缘性物质接触时，绝缘性物质被配位化而形成绝缘性物质的配位化合物。绝缘性物质的配位化合物，因蒸气压高而容易气化。气化的绝缘性物质的配位化合物，通过真空排气，排出至处理室外面。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 装置 清洁 方法 | ||
【主权项】：
1.一种基板处理装置的清洁方法，其特征在于，具有：将包含具有羧基的化合物的清洁气体，供给至对基板进行处理的基板处理装置的处理室内，使附着在所述处理室内的绝缘性物质配位化的配位化合物形成工序；和对所述处理室内部进行排气，将所述绝缘性物质的配位化合物排出至所述处理室外的配位化合物排出工序。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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