[发明专利]高性能双栅闩锁有效
| 申请号： | 02805179.3 | 申请日： | 2002-02-07 |
| 公开（公告）号： | CN1493109A | 公开（公告）日： | 2004-04-28 |
| 发明（设计）人： | K·伯恩斯泰恩;E·J·诺瓦克 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H03K3/356 | 分类号： | H03K3/356;H01L27/092 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 吴立明;王勇 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 提供了一种供非对称双栅互补金属氧化物半导体(DGCMOS)器件用作闩锁的差分电路。具体地，此差分电路包括一个具有紧连输入电路的弱栅和用于交叉耦合的强栅的非对称DGCMOS器件。 | ||
| 搜索关键词： | 性能 双栅闩锁 | ||
【主权项】：
1.一种差分电路，包括：具有一对串联耦合的pFETs(52、54)和nFETs(56、58)的一非对称双栅器件(50)，每个pFET和nFET具有与其关联的弱栅(60、62、64、66)和强栅(68、70、72、74)，其中nFETs和pFETs的弱栅(60、62、64、66)连在输入电路上，而所述pFETs的强栅(68、72)则用于交叉耦合。
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