[发明专利]包括多个光学有源区的半导体激光器无效
| 申请号： | 02805119.X | 申请日： | 2002-02-15 |
| 公开（公告）号： | CN1528036A | 公开（公告）日： | 2004-09-08 |
| 发明（设计）人： | 约翰·H·马什;金新成 | 申请（专利权）人： | 格拉斯哥大学理事会 |
| 主分类号： | H01S5/10 | 分类号： | H01S5/10;H01S5/12;H01S5/34;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 李晓舒;魏晓刚 |
| 地址： | 英国格*** | 国省代码： | 英国;GB |
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| 摘要： | 本发明公开了一种改进的半导体激光器件(10)，并且特别是一种具有单叶远场图案的大面积半导体激光器。已知的大面积激光器使用于高功率应用，但存在诸如丝化现象、横模不稳、以及较差的远场特性等许多问题。本发明通过提供半导体激光器件(10)解决上述问题，该器件包括：多个光学有源区(240)；每个光学有源区包括量子阱(QW)结构(77)；相邻的光学有源区由光学无源区(245)隔开；该/每个光学无源区(245)为量子阱混合(QWI)部。相邻光学有源区(240)之间的间隔通常可称作“分段”。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 光学 有源 半导体激光器 | ||
【主权项】：
1.一种半导体激光器件，包括：多个光学有源区；每个光学有源区包括量子阱(QW)结构；相邻的光学有源区由光学无源区隔开；该/每个光学无源区为量子阱混合(QWI)部。
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