[发明专利]具有基本上没有氧化诱生堆垛层错的空位为主的芯的低缺陷密度硅

摘要

本发明涉及一种用于制备单晶硅锭的方法，以及涉及晶锭或由晶锭产生的晶片。该方法包括控制(i)生长速度v，(ii)平均轴向温度梯度Go，及(iii)晶体从固化到约750℃的冷却速率，以便形成一个晶段，所述晶段具有一个第一轴向上对称的区域和一个第二轴向上对称的区域，上述第一轴向上对称的区域从晶锭的侧表面径向上向内延伸，其中硅自填隙是主要的本征点缺陷，而上述第二轴向上对称的区域从第一轴向上对称的区域径向上向内和朝晶锭的中心轴线延伸。所述方法的特征在于：对v、Go和冷却速率都进行控制，以防止在第一区域内形成附聚的本征点缺陷，同时进一步控制冷却速率，以便在晶片经受另外适合于形成氧化诱生堆垛层错的氧化处理时，限制在由这个晶段所得到的晶片中形成氧化诱生堆垛层错。

主权项

1.一种用于生长单晶硅锭的方法，其中晶锭包括一个中心轴线、一个籽晶锥、一个尾端和一个恒定直径部分，所述恒定直径部分在上述籽晶锥和端锥之间，具有一个侧表面和一个半径，所述半径从上述中心轴线延伸到侧表面，晶锭按照直拉法从硅熔体生长和然后从固化温度冷却，所述方法包括：控制(i)生长速度v，(ii)在晶体的恒定直径部分生长期间在从固化到一不低于约1325℃的温度范围内的平均轴向温度梯度Go，及(iii)晶体从固化温度到约750℃的冷却速率，以导致形成一个晶段，其中一个基本上没有A型附聚缺陷的填隙为主的轴向对称的区域从侧表面径向向内延伸，其中一个空位为主的轴向对称的区域从该填隙为主的区域径向向内延伸，及另外其中从上述晶段得到的晶片在经受随后的氧化处理时，具有一低于约50/cm2的氧化诱生堆垛层错浓度。