[发明专利]在基体材料上构造氧化层的方法无效
| 申请号： | 02804447.9 | 申请日： | 2002-02-01 |
| 公开（公告）号： | CN1537334A | 公开（公告）日： | 2004-10-13 |
| 发明（设计）人： | 阿道夫·穆泽;瑞恩霍德·斯克罗瑟 | 申请（专利权）人： | 壳牌阳光有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/068;H01L21/311 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 李勇 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及一种在基体材料上构造氧化层结构的方法。本发明的目的是提供一种经济的构造氧化层的方法。为此，根据丝网印刷方法将含有氧化物腐蚀成分的印网丝膏通过印刷模板印制在氧化层上，然后在一段预定的作用时间之后之后将印膏去除。 | ||
| 搜索关键词： | 基体 材料 构造 氧化 方法 | ||
【主权项】：
1.在基体材料上构造氧化层结构的方法，其中按照丝网印刷的方法将包含氧化物腐蚀成份的丝网印膏通过印刷模板印制在氧化层上，并且其中已经印制的丝网印膏在一段预定的作用时间之后又被去除。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
