[发明专利]用于集成电路平面化的粘性保护覆盖层

摘要

本发明涉及在制造集成电路中典型遇到的表面平面化，特别是在镶嵌和双镶嵌互连中遇到的铜导体和Ta/TaN阻挡层的表面平面化。本发明描述了用于Cu/Ta/TaN互连的平面化方法，典型利用趋向位于较低表面形貌的区域中的粘性覆盖层，保护所述较低区域免受化学和机械作用组合的腐蚀。在一些实施例中，粘性覆盖层包含阻止从与粘性层接触的表面区域中去除铜的物质。这些物质可用是在其它添加剂中铜离子基本饱和的溶液，由此阻止了互连铜溶解进入保护覆盖层中。在本发明的一些实施例中，粘性覆盖层可以在腐蚀剂引入晶片表面之前添加，或者腐蚀剂和粘性覆盖层可以基本上同时典型地是在平面化过程中随晶片旋转引入。

主权项

1.一种在制造集成电路互连中平面化金属表面的方法，包括：a)在所述金属表面上引入保护液体；和b)横过所述金属表面分散所述保护液体；和c)在所述金属表面上引入腐蚀溶液，在此所述保护液体的粘度超过所述腐蚀溶液的粘度，由此阻碍了在由所述保护层占据的所述表面区域内的所述表面的腐蚀；和d)腐蚀所述金属表面至平坦。