[发明专利]复合光学元件及光接收元件装置无效
| 申请号： | 02803245.4 | 申请日： | 2002-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN1478305A | 公开（公告）日： | 2004-02-25 |
| 发明（设计）人： | 吉田浩;谷口正;小泽正文 | 申请（专利权）人： | 索尼公司 |
| 主分类号： | H01L31/12 | 分类号： | H01L31/12;G11B7/125;G11B7/135 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 杨凯;叶恺东 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的复合光学元件中设有：装于基片(1)的一面的至少一个光学元件(2)，装于基片(1)的另一面的半导体激光器(3)与光接收元件(4)，以及介于基片(1)和光接收元件(4)之间的中间构件(中继基片)(5)。中间构件(5)上设有用以使入射到光接收元件(4)的光束透过的通孔(6)和具有导电性的部分，通过该具有导电性的部分使光接收元件(4)的端子和基片(1)上的导体图案相连接。 | ||
| 搜索关键词： | 复合 光学 元件 接收 装置 | ||
【主权项】：
1.一种复合光学元件，其中设有：基片，安装于所述基片的一面的至少一个光学元件，安装于所述基片的另一面的光发射元件与光接收元件，以及介于所述基片和所述光接收元件之间的中间构件；所述中间构件由对于所述光发射元件的发射波长具有吸收特性的材料形成，同时设有用以使入射到所述光接收元件的光束通过的孔及具有导电性的部分，通过所述具有导电性的部分来连接所述光接收元件的端子和所述基片上的导体图案。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
