[发明专利]成型横向沟槽光检测器的方法无效
| 申请号： | 02803225.X | 申请日： | 2002-02-13 |
| 公开（公告）号： | CN1478304A | 公开（公告）日： | 2004-02-25 |
| 发明（设计）人： | 杨敏;克恩·利姆 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L31/103 | 分类号： | H01L31/103;H01L31/105;H01L27/144;H01L31/0352 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 冯赓宣 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明公开了一种在半导体基底(102)上成型光检测器器件的方法。该方法包括：在基底(102)上成型第一组沟槽和第二组沟槽，其中第一组的各沟槽对于第二组的各沟槽交错排列；对各沟槽填充保护材料(202)；以及蚀刻第一组沟槽内的保护材料(202)。该方法进一步包括：对第一组沟槽填充第一电导率的掺杂材料(502)；蚀刻第二组沟槽内的保护材料(202)；对第二组沟槽填充第二电导率的掺杂材料(802)；通过将掺杂材料(502)中的掺杂物掺杂到第一组沟槽中的每一个，形成第一结层(904)，而通过将掺杂材料(802)中的掺杂物掺杂到第二组沟槽中的每一个，形成第二结层(906)；以及对第一组沟槽和第二组沟槽设置单独导线连接(1002、1004)。同时形成第一组沟槽和第二组沟槽。 | ||
| 搜索关键词： | 成型 横向 沟槽 检测器 方法 | ||
【主权项】：
1.一种在半导体基底上成型光检测器器件的方法，该方法包括步骤：在基底上同时成型第一组沟槽和第二组沟槽，其中第一组的各沟槽相对于第二组的各沟槽交错排列；对各沟槽填充保护材料；蚀刻第一组沟槽内的保护材料；通过将第一掺杂物材料中的掺杂物掺杂到第一组沟槽中的每一个，形成第一结层，而通过将第二掺杂物材料中的掺杂物掺杂到第二组沟槽中的每一个，形成第二结层；以及对第一组沟槽和第二组沟槽设置单独导线连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
