[发明专利]等离子体清洗气体和等离子体清洁方法有效
| 申请号： | 02802843.0 | 申请日： | 2002-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN1526159A | 公开（公告）日： | 2004-09-01 |
| 发明（设计）人： | 关屋章;三井有规;大平丰;米村泰辅 | 申请（专利权）人： | 财团法人地球环境产业技术研究机构;独立行政法人产业技术总合研究所 |
| 主分类号： | H01L21/31 | 分类号： | H01L21/31;H01L21/3065;C23C16/44 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 周承泽 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 如本发明所述的CVD室的等离子体清洗气体是一种在用等离子体CVD设备在基材上进行成膜处理后，用于清洁CVD室内壁表面和部件表面上含硅沉积物的气体。这种清洗气体含有占体积100％的氟气，通过放电可以使它产生等离子体。当占体积100％的氟气通过放电产生等离子体并将用作清洗气体时，即便总气体流量为1000sccm同时室压为400Pa，仍可以得到特别突出的腐蚀速度并可以进一步稳定地产生等离子体。此外，在上述条件下还可以保证清洁的均一性。另外，氟气的含量为100％，故而设备并不复杂，因此这种清洗气体有很好的实用性。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 清洗 气体 清洁 方法 | ||
【主权项】：
1.用于CVD室的等离子体清洗气体，它含有100％体积的能够通过放电产生等离子体的氟气，并被用于在用等离子体CVD设备在基材上进行成膜处理后清洁CVD室内壁表面和置于CVD室中的部件表面上的含硅沉积物。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
