[发明专利]贴合晶片的制造方法

摘要

本发明涉及一种贴合晶片的制造方法，通过离子注入剥离法制造贴合晶片，该离子注入剥离法至少具有下列工序，即，将具有通过气体离子注入形成了微小气泡层的结合晶片与作为支持基板的基晶片进行接合的工序、及以上述微小气泡层为界剥离结合晶片从而在基晶片上形成薄膜的工序；其特征是：在剥离前述结合晶片后的贴合晶片上，在惰性气体、氢气、或这些气体的混合气体环境下施行热处理，然后对该贴合晶片施行热氧化，在前述薄膜表面形成热氧化膜，且除去该热氧化膜，由此减少前述薄膜的厚度。由此提供一种贴合晶片的制造方法，能在维持利用离子注入剥离法制造的贴合晶片的薄膜的膜厚均一性的同时，确实除去表面的损伤或缺陷，且能充分适用于量产技术。

主权项

1、一种贴合晶片的制造方法，通过离子注入剥离法制造贴合晶片，该离子注入剥离法至少具有下列工序，即，将具有通过气体离子注入形成了微小气泡层的结合晶片与作为支持基板的基晶片进行接合的工序、及以上述微小气泡层为界剥离结合晶片从而在基晶片上形成薄膜的工序；其特征是：在剥离前述结合晶片后的贴合晶片上，在惰性气体、氢气、或这些气体的混合气体环境下施行热处理，然后对该贴合晶片施行热氧化，在前述薄膜表面形成热氧化膜，且除去该热氧化膜，由此减少前述薄膜的厚度。