[发明专利]制造器件的光刻法

摘要

为了光刻制造高密度器件，借助新方法在许多子掩模(120a，120b，120c)上分布设计掩模图案(120)。该子掩模不包括“禁用”特征(135)并且可以被传统仪器转印到待形成图案的基层上。为了转印，使用新的叠层，它包括由一处理层(22；26)及一个用于各子图案的无机抗反光层(24；28)构成的层对。在第一处理层(26)已经形成有第一子图案之后，它被涂上一新的抗蚀剂层(30)，用第二子图案来曝光抗蚀剂层，在第一处理层下面的第二处理层被制上第二子图案。

主权项

1、一种在至少一层基材中制造器件的方法，该方法包括以下步骤：-产生一设计图案，它包括对应于要在该层中形成的器件特征的图案特征；-在一设置于该基层上的抗蚀剂层中转印该设计图案；-从所述层的由构图抗蚀剂层划分成的区域中去除材料或给所述区域添加材料；-分别包括设计图案的不同部分的许多子图案被连续转印在数量相应的抗蚀剂层内，所述抗蚀剂层被连续涂覆在所述基层上；其特征在于，-在该基材上，成叠地形成至少由一处理层和一抗反光层组成的第一层对及由该处理层和抗反光层组成的第二层对；在顶处理层上涂覆一抗蚀剂层并且在该抗蚀剂层中转印上第一子图案；-显影该抗蚀剂层，由此形成一个对应第一子图案的第一中间图案；-通过第一中间图案蚀刻顶处理层，由此形成一个对应于第一子图案的器件特征第一图案；-在器件特征的第一图案上涂上一第二抗蚀剂层；-在第二抗蚀剂层内转印下一个第二子图案；-显影第二抗蚀剂层，由此形成一个对应于第二子图案的第二中间图案；-通过由交错的器件特征第一中间图案和第二中间图案构成的蚀刻掩模来蚀刻一个在下面的处理层，从而形成一个对应于第一和第二子图案组的器件特征第二图案，以及-去除该第二抗蚀剂层及顶处理层。