[实用新型]平板显示的驱动芯片用高压器件结构无效
| 申请号： | 02219093.7 | 申请日： | 2002-03-01 |
| 公开（公告）号： | CN2522970Y | 公开（公告）日： | 2002-11-27 |
| 发明（设计）人： | 孙伟锋;易扬波;时龙兴 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | G09G3/32 | 分类号： | G09G3/32;H01L27/04;H01L29/78 |
| 代理公司： | 南京经纬专利代理有限责任公司 | 代理人： | 王之梓 |
| 地址： | 210096*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种平板显示的驱动芯片用高压器件，由高压二极管、高压P型MOS管和高压N型横向双扩散MOS管组成，高压N型横向双扩散MOS管设在P型衬底上，在P型衬底上位于高压N型横向双扩散MOS管的源区下方位置设有P型阱，在P型衬底上设有N型深阱，高压二极管和高压P型MOS管设在N型深阱内。本实用新型具有制造成本低，高压器件可靠性高的优点，其制造工艺可采用可兼容标准体硅低压CMOS工艺。 | ||
| 搜索关键词： | 平板 显示 驱动 芯片 高压 器件 结构 | ||
【主权项】：
1、一种平板显示的驱动芯片用高压器件结构，由高压二极管(1)、高压P型MOS管(2)和高压N型横向双扩散MOS管(3)组成，其特征在于高压N型横向双扩散MOS管(3)设在P型衬底(5)上，在P型衬底(5)上位于高压N型横向双扩散MOS管(3)的源区(32)下方位置设有P型阱(51)，在P型衬底(5)上设有N型深阱(4)，高压二极管(1)和高压P型MOS管(2)设在N型深阱(4)内。
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