[发明专利]消除二极管间相互影响的检测方法和装置无效
申请号: | 02156147.8 | 申请日: | 2002-12-10 |
公开(公告)号: | CN1424760A | 公开(公告)日: | 2003-06-18 |
发明(设计)人: | J·R·小易通 | 申请(专利权)人: | 惠普公司 |
主分类号: | H01L27/00 | 分类号: | H01L27/00;G11C11/34;H01L21/66;G01R31/28 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 杨凯,张志醒 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 连接交叉点存储器阵列(25)中读出电流线的一种方法和装置,它大大减小了来自未被寻址的行或列线(257,258)的反向漏电流的影响。分开的各读出线段(295)连接到行或列线(257,258)的分开的各条带(290)上。每个读出线段(295)连接到一个读出二极管(300),而每个读出二极管(300)连接到读出总线(310)。每个读出二极管(300)为在一条选中的行线或列线(257,258)上的检测提供电流通路,而对未被寻址的行线或列线(257,258)每个读出线段(295)只允许一个二极管(300)的漏电流通过。这种布局的结果是对交叉点存储器阵列中数据单元状态的检测具有更宽的裕度且存储器阵列(25)的电路设计更为简单。 | ||
搜索关键词: | 消除 二极管 相互 影响 检测 方法 装置 | ||
【主权项】:
1.一种存储器存储装置,它包括:交叉点存储器阵列(25),其中,该交叉点存储器阵列(25)包括在多个交叉点相交的第一(257)和第二(258)组横置电极;在每个交叉点的存储器元件(26),每个所述存储器元件(26)都可在高阻抗状态和低阻抗状态之间转换;连接到所述第一(257)和第二(258)组横置电极的地址解码电路(270,280);连接到所述第一组(257)横置电极的条带电路(290),其中,把所述第一组(257)横置电极的各电极组合以形成一组条带(290);多个读出线段(295),其中,每个所述读出线段(295)通过二极管(300)连接到单独的条带(290);以及连接到每个所述二极管(300)的读出总线(310)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的