[发明专利]图像传感器无效
| 申请号： | 02155835.3 | 申请日： | 2002-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN1417865A | 公开（公告）日： | 2003-05-14 |
| 发明（设计）人： | 权五凤 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/14 | 分类号： | H01L27/14;H04N5/335 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 李晓舒,魏晓刚 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种图像传感器，其中，透镜直径从芯片中心区向它的边缘变化，以获得整体一致的灵敏度。图像传感器包括多个光接收部分，它们把相应于物体的光的信号转换成电信号；像素阵列区，具有形成在光接收部分且分别对应光接收部分使光聚焦的多个微透镜。图像传感器中，各个微透镜的直径从像素阵列区中心区朝它的边缘变化。 | ||
| 搜索关键词： | 图像传感器 | ||
【主权项】：
1.一种图像传感器，包括：多个光接收部分，用于将相应于物体的光的信号转换成电信号；像素阵列区，有在该些光接收部分上形成的并分别对应该些光接收部分以对光聚焦的多个微透镜，其中，各个微透镜具有从像素阵列区的中心到该区的边缘变化的直径。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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