[发明专利]用PLD方法制备的具有正巨磁阻效应的钴碳薄膜材料无效
| 申请号： | 02153786.0 | 申请日： | 2002-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN1412572A | 公开（公告）日： | 2003-04-23 |
| 发明（设计）人： | 章晓中;朱丹丹;薛庆忠 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | G01R33/09 | 分类号： | G01R33/09;G11B5/39 |
| 代理公司： | 北京众合诚成知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李光松 |
| 地址： | 100084 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了属于磁学量传感器材料的一种用PLD方法制备的具有室温正巨磁阻效应的钴碳薄膜材料。是在Si(100)基片上，用不同比例的Co－C复合冷压靶材，在3Pa氩气条件下，利用PLD方法在一定温度下沉积得Co－C薄膜。在同样制备条件下，不同靶材成分，其薄膜厚度不同，薄膜厚度约为60－100nm。该材料在温度为300K、外加磁场为1T的条件下的正磁阻效应可高达22％。Co－C材料价格低廉，性能优越，是一种很好的磁传感器材料。 | ||
| 搜索关键词： | pld 方法 制备 具有 磁阻 效应 薄膜 材料 | ||
【主权项】：
1.一种用PLD方法制备的具有室温正巨磁阻效应的钴碳薄膜材料，其特征在于：所述Co-C薄膜是由C和Co构成的磁阻材料，其Co摩尔比含量为1-70％。
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