[发明专利]基体上金属离子非均匀掺杂二氧化钛光催化剂薄膜及其制备方法无效

专利信息
申请号: 02152041.0 申请日: 2002-11-26
公开(公告)号: CN1502405A 公开(公告)日: 2004-06-09
发明(设计)人: 梁园园;李新军;王良焱;张琦;郑少健;黄琮 申请(专利权)人: 中国科学院广州能源研究所
主分类号: B01J21/06 分类号: B01J21/06;B01J35/00;B01J37/02
代理公司: 广州科粤专利代理有限责任公司 代理人: 赖汉光
地址: 510170广*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 一种基体上金属离子非均匀掺杂二氧化钛光催化剂薄膜及其制备方法,薄膜包括阻隔层SiO2薄膜层,其特征是还包括至少一层TiO2光催化剂薄膜层和至少一层金属离子掺杂TiO2薄膜层,TiO2光催化剂薄膜层和金属离子掺杂TiO2薄膜层相间,先后均可,整体上形成了金属离子非均匀掺杂,金属离子掺杂TiO2薄膜层中的金属离子与Ti的原子百分比为0.01-5%。制备方法包括下列用溶胶-凝胶法在基体上制备阻隔层SiO2薄膜1-5次;制备TiO2光催化剂薄膜2-20次;制备金属离子掺杂TiO2薄膜2-20次;其中(b)和(c)步骤的顺序和次数根据薄膜结构确定。金属离子非均匀掺杂后光催化活性大大提高。
搜索关键词: 基体 金属 离子 均匀 掺杂 氧化 光催化剂 薄膜 及其 制备 方法
【主权项】:
1.一种基体上金属离子非均匀掺杂二氧化钛光催化剂薄膜包括阻隔层SiO2薄膜层(第一层),其特征是还包括至少一层TiO2光催化剂薄膜层和至少一层金属离子掺杂TiO2薄膜层,TiO2光催化剂薄膜层和金属离子掺杂TiO2薄膜层相间,先后均可,整体上形成了金属离子非均匀掺杂,金属离子掺杂TiO2薄膜层中的金属离子与Ti的原子百分比为0.01-5%。
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