[发明专利]多晶硅薄膜结晶品质的检测装置及其检测与控制方法有效
| 申请号： | 02151448.8 | 申请日： | 2002-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN1501065A | 公开（公告）日： | 2004-06-02 |
| 发明（设计）人： | 曹义昌;廖龙盛 | 申请（专利权）人： | 友达光电股份有限公司 |
| 主分类号： | G01N21/17 | 分类号： | G01N21/17;G01N21/33;H01L29/04;H01L29/786 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 李晓舒;魏晓刚 |
| 地址： | 台湾省*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种多晶硅薄膜结晶品质的检测装置及其检测与控制方法。首先，提供一第一衬底，其上覆盖有一第一非晶硅层。接着，以不同能量密度的激光对第一非晶硅层实施退火处理，以形成多个第一多晶硅区。接着，通过一分光器将一光源分成一第一光束及一用以照射于第一多晶硅区的一第二光束。之后，侦测第一光束及从这些第一多晶硅层反射的第二光束的光强度以获得多个光强度比率，并依据这些光强度比率来决定一第二既定能量密度。最后，以具有第二既定能量密度的激光对表面覆盖有一第二非晶硅层的第二衬底实施退火处理，以形成一第二多晶硅层。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶 薄膜 结晶 品质 检测 装置 及其 控制 方法 | ||
【主权项】：
1.一种多晶硅薄膜结晶品质的检测方法，包括下列步骤：提供一衬底，该衬底上覆盖有一多晶硅层；提供一具有一既定波长的光源，并通过一分光器以形成一第一光束及一用以照射于该多晶硅层的一第二光束；侦测该第一光束及从该多晶硅层反射的该第二光束的光强度以获得一光强度比率；以及依据该光强度比率来监测该多晶硅层的结晶品质。
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