[发明专利]制造氮化硅只读存储器的方法有效
| 申请号： | 02149394.4 | 申请日： | 2002-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN1501478A | 公开（公告）日： | 2004-06-02 |
| 发明（设计）人： | 刘承杰;熊黛良;陈家兴 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8246 | 分类号： | H01L21/8246 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王学强 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种制造氮化硅只读存储器的方法，可防止工艺期间有过度蚀刻的情形发生，此方法是于基底上先形成氧化硅/氮化硅/氧化硅堆栈层，再于此一堆栈层上形成一层保护层。然后，进行一蚀刻工艺，以图案化保护层与堆栈层，并暴露出部分基底。接着，进行一清洗工艺将保护层去除，再施行一离子植入工艺，以于暴露出的基底中形成掺杂区域。然后，于掺杂区域上形成绝缘体，再于基底上形成字符线。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 氮化 只读存储器 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造氮化硅只读存储器的方法，其特征是，该方法包括：于一基底上形成一氧化硅/氮化硅/氧化硅堆栈层，该氧化硅/氮化硅/氧化硅堆栈层具有一底氧化层、一氮化硅层与一顶氧化层；于该氧化硅/氮化硅/氧化硅堆栈层上形成一保护层，而该保护层与氧化硅的选择比小于1；进行一蚀刻工艺，以图案化该保护层与该氧化硅/氮化硅/氧化硅堆栈层；以及去除该保护层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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