[发明专利]过渡金属的硫化物纳米管与制备方法及其应用无效
申请号: | 02149128.3 | 申请日: | 2002-11-27 |
公开(公告)号: | CN1155522C | 公开(公告)日: | 2004-06-30 |
发明(设计)人: | 陈军;李锁龙;陶占良;蔡锋石;徐丽娜 | 申请(专利权)人: | 南开大学 |
主分类号: | C01G1/12 | 分类号: | C01G1/12;C01G23/00;C01G25/00;C01G33/00;C01G39/06;C01G41/00 |
代理公司: | 天津市学苑有限责任专利代理事务所 | 代理人: | 赵尊生 |
地址: | 3000*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | 本发明涉及硫化物纳米管的制备,它是关于过渡金属MSX纳米管的制备方法及其在储氢、储锂和电极材料上的应用。MSX式中M为IV-VIB族过渡金属,如Ti,Zr,Nb,Mo,W等;X为1或2。该系列纳米管具有非常有序的层状管式结构,其长度可达3~5μm,内径为10~25nm,外径为25~60nm,层间距为0.57~0.63nm。经低温气固催化反应制备的高纯MSX开口、多壁或单壁纳米管有其独特的层状管式结构和大的比表面积。MSX纳米管是一种良好的可逆储氢及储锂的载体,特别是在电化学储氢及储锂时,有着快速充放电速度和优良的循环寿命,因而可应用于新型镍/氢电池及锂电池的开发。 | ||
搜索关键词: | 过渡 金属 硫化物 纳米 制备 方法 及其 应用 | ||
【主权项】:
1、一种过渡金属的硫化物纳米管,其特征在于它是具有MSX组成的开口、单壁或多壁纳米管,其中M为IV-VIB族过渡金属,X为2;所述的纳米管的长度3~5μm,内径为10~25nm,外径为25~60nm,层间距为0.57~0.63nm。
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