[发明专利]硅基薄膜晶体管室温红外探测器无效
申请号: | 02148647.6 | 申请日: | 2002-11-15 |
公开(公告)号: | CN1405892A | 公开(公告)日: | 2003-03-26 |
发明(设计)人: | 刘理天;董良;岳瑞峰 | 申请(专利权)人: | 清华大学 |
主分类号: | H01L27/14 | 分类号: | H01L27/14;H01L31/00;G01J1/02 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 100084 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 硅基薄膜晶体管室温红外探测器属于单片集成式红外探测器技术领域,其特征在于它是一种用薄膜晶体管作为热敏感元件且采用倒置参差结构的室温红外探测器,它含有做在悬空微桥的桥面上用作热敏感元件的薄膜晶体管,做在选择性地在硅衬底的部分区域形成的一层多孔硅层上用作参考元件的薄膜晶体管,做在衬底上的信号检测IC电路。该悬空微桥是通过把热敏感元件薄膜晶体管下方的多孔硅腐蚀掏空而形成的。当参考元件下方的多孔硅层的厚度为6μm,电流偏置工作时间小于5μs时,差分电路抵消了自热升温和环境温度变化引起的输出温漂;参考元件中受红外辐射引起的平衡态升温仅是热敏元件的1/60,即采用参考元件削弱热敏感元件的探测响应率仅不到2%。 | ||
搜索关键词: | 薄膜晶体管 室温 红外探测器 | ||
【主权项】:
1.硅基薄膜晶体管室温红外探测器,含有室温热敏感元件,其特征在于,它是一种用薄膜晶体管作为热敏感元件且采用倒置参差结构的单片集成式硅基薄膜晶体管室温红外探测器,它含有:硅衬底;悬浮于硅衬底上方且用支撑臂支撑的薄膜微桥;制作在薄膜微桥桥面上用作热敏感元件的薄膜晶体管,及其由其组成的热敏感元件阵列;制作在多孔硅上用作参考元件的薄膜晶体管;测量用的外围集成电路。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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