[发明专利]分布反馈型激光装置有效
| 申请号： | 02147339.0 | 申请日： | 2002-10-18 |
| 公开（公告）号： | CN1438743A | 公开（公告）日： | 2003-08-27 |
| 发明（设计）人： | 奥贯雄一郎 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/12 | 分类号： | H01S5/12 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 杨凯,叶恺东 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明旨在提供能够抑制因制造偏差引起的光耦合系数的变动的、使制造合格率得以提高的分布反馈型激光装置，其中设有：位于InP衬底(1)上激活层(4)两侧的包覆层，以及位于任一包覆层中的、与包覆层折射率不同的、带有在光出射方向以预定间距在与该出射方向相交的方向上延伸的栈状格子的衍射光栅(6)；还至少设有一层光分布调整层(2)，该层位于与所述衍射光栅相分离的包覆层内，其成分与所述衍射光栅的相同。 | ||
| 搜索关键词： | 分布 反馈 激光 装置 | ||
【主权项】：
1.一种分布反馈型激光装置，包括：设置在半导体衬底上的位于激活层两侧的包覆层，以及位于任一所述包覆层中的、与所述包覆层折射率不同的、带有在光出射方向以预定间距在与该出射方向相交的方向上延伸的栈状格子的衍射光栅；至少设有一层光分布调整层，该层位于与所述衍射光栅相分离的所述包覆层内，其成分与所述衍射光栅的相同。
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- 本发明公开了一种纯增益耦合分布反馈式半导体激光器及制备方法，该激光器包括设置于外延层上的脊形波导、布拉格光栅、光放大器和外延层的上波导层，所述光放大器为锥形放大器，布拉格光栅由未经离子注入并与电极欧姆接触的电流注入区域和离子注入的绝缘区域构成，脊形波导包括一部分布拉格光栅，上波导层包括另一部分布拉格光栅，锥形放大器输入端与脊形波导连接，输出端位于激光器前腔面。本发明采用离子注入的方式在脊波导上形成周期性的纯增益耦合型布拉格光栅，其光栅深度只由离子注入的深度决定，无需对光栅进行刻蚀。采用较大的注入深度，能在不引入折射率耦合效应的同时增加增益耦合系数，减小了光学损耗并且有利于保持单纵模激光输出的稳定性。简化了制备工艺，可实现稳定的高亮度单纵模激光输出。
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- 赵武;张立晨;王俊;程洋;苏建昆 - 苏州长光华芯光电技术股份有限公司;苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司
- 2023-07-20 - 2023-08-18 - H01S5/12
- 本发明揭示了一种具有侧壁光栅结构的边发射半导体发光结构及其制备方法，具有侧壁光栅结构的边发射半导体发光结构包括：半导体衬底层；位于所述半导体衬底层上的脊形结构，所述脊形结构包括在所述半导体衬底层上依次层叠的下限制层、下波导层、有源层、上波导层和上限制层；所述脊形结构在慢轴方向的宽度自上至下递增，所述脊形结构在慢轴方向的两侧均具有特征侧壁，所述特征侧壁为上波导层、有源层和下波导层在慢轴方向侧部的侧壁；所述特征侧壁的若干间隔的区域朝向脊形结构中凹陷构成若干光栅槽，光栅槽和光栅槽之间的脊形结构构成侧壁光栅结构。具有侧壁光栅结构的边发射半导体发光结构能提高电光转换效率和发光功率。
- 一种基于键合结构的温度不敏感型硅光发射芯片-202310466256.0
- 王继厚;尹坤;柴田;刘硕;郭清水;应小俊;刘士圆 - 之江实验室
- 2023-04-27 - 2023-08-15 - H01S5/12
- 本发明公开了一种基于键合结构的温度不敏感型硅光发射芯片，其特征在于，包括依次连接的激光器、硅光调制器、温度不敏感型阵列波导光栅和光发射芯片输出端，其中所述激光器和硅光调制器均设置有若干个，且所述激光器和所述硅光调制器一对一连接；所述激光器为相移光栅型分布反馈激光器，所述激光器与所述硅光调制器间通过苯并环丁烯材料键合，所述温度不敏感型阵列波导光栅通过硅波导实现，相邻阵列波导间存在长度差△L，每根阵列波导由粗波导和细波导级联而成。
- 一种高性能DFB激光器外延片结构与制备方法-202310468739.4
- 吕军;曹明德;余雪平;钟满意;程文涛;黄晓东;赵建宜;罗飚 - 武汉光迅科技股份有限公司;湖北光谷实验室
- 2023-04-26 - 2023-08-08 - H01S5/12
- 本发明提供一种高性能DFB激光器外延片结构与制备方法，通过在DFB激光器外延片的AlGaInAs混合多量子阱层中设置两种或者两种以上类型的势垒层，不同类型的势垒层的带隙高度不同，不同类型的势垒层的带隙高度于AlGaInAs混合多量子阱层中自下而上渐变式减小，使得空穴载流子从AlGaInAs混合多量子阱层顶端向下遂穿时，上端的空穴更容易遂穿，从而保证空穴能够遂穿至AlGaInAs混合多量子阱层下端，从而提高微分增益，获得相对更高的调制带宽。
- 分布式反馈半导体激光二极管、应用及制备方法-202310719635.6
- 杨军 - 上海三菲半导体有限公司
- 2023-06-16 - 2023-08-04 - H01S5/12
- 本发明公开了分布式反馈半导体激光二极管、应用及制备方法，包括：一个半导体基材，沉积在半导体基材上、且与半导体基材相同导电材料的下包覆层，沉积在下包覆层上、且含有脊波导和多量子阱增益层的半导体有源层，沉积在半导体有源层上的上包覆层，沉积在上包覆层上的半导体覆盖层，以及沉积在半导体覆盖层上的导电层；所述导电层具有非金属化区域，形成三个无电流注入区；所述半导体有源层内布设有一衍射光栅区域；所述衍射光栅区域内布设有一相移光栅；所述三个无电流注入区，其位置分别为激光二极管前端面附近、后端面附近及相移光栅的正上方；所述无电流注入区与沿脊波导分布的边模峰值位置重合。
- 一种半导体锁模激光器及其制备方法-202310395304.1
- 张瑞康;宋浩;陆丹;赵玲娟 - 中国科学院半导体研究所
- 2023-04-13 - 2023-08-04 - H01S5/12
- 本发明提供了一种半导体锁模激光器及其制备方法，涉及光电子技术领域，用于解决现有技术中因自相位调制和色散效应导致飞秒脉冲难以实现输出的问题，从而避免使用外部脉冲压缩技术，进而降低了生产成本。该半导体锁模激光器包括：反射镜区、增益区和饱和吸收区；增益区设置在反射镜区和饱和吸收区之间、且分别与反射镜区和饱和吸收区相连；半导体锁模激光器还包括衬底、以及设置在衬底同侧的啁啾光栅层和有源层；其中，啁啾光栅层设置在反射镜区、且包括光栅周期沿半导体锁模激光器的出射方向线性递减的多个光栅，有源层设置在增益区和饱和吸收区，啁啾光栅层与衬底的距离大于有源层与衬底的距离。
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