[发明专利]一种阵列碳纳米管薄膜晶体管的制备方法无效
| 申请号： | 02145889.8 | 申请日： | 2002-10-16 |
| 公开（公告）号： | CN1490856A | 公开（公告）日： | 2004-04-21 |
| 发明（设计）人： | 刘云圻;肖恺;胡平安;于贵;王贤保;朱道本 | 申请（专利权）人： | 中国科学院化学研究所 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100080北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种阵列碳纳米管薄膜晶体管的制备方法，依如下顺序步骤进行：将SiO2/高掺杂硅基片放入石英管中部，通入氢气或氩气中的一种气体，开始加热，将盛有金属酞菁的石英舟放入路口温度为500－600℃的区域，恒温1－60分钟后，停止加热，继续通氢气使电炉冷至10－40℃，在基片上得到列阵碳纳米管薄膜，将其放入真空镀膜机，利用叉指电极模板真空蒸镀金作为薄膜晶体管的源、漏极。本发明制备方法工艺简单，成本低廉。所制备的器件空穴的场效应迁移率高达79.5cm2/Vs。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 阵列 纳米 薄膜晶体管 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种阵列碳纳米管薄膜晶体管的制备方法，依如下顺序步骤进行：以高掺杂硅作为栅电极，其上氧化一层200-400纳米的SiO2作为栅极绝缘层，将此SiO2/高掺杂硅基片放入石英管中部，通入氢气或氩气中的一种气体，将控温仪设置到800-1200℃，开始加热，当炉心温度达到设置温度时，将盛有金属酞菁的石英舟放入路口温度为500-600℃的区域，恒温1-60分钟后，停止加热，继续通氢气使电炉冷至10-40℃，在基片上得到列阵碳纳米管薄膜，将其放入真空镀膜机，利用叉指电极模板真空蒸镀金作为薄膜晶体管的源、漏极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
