[发明专利]检测图案缺陷过程的方法无效
| 申请号： | 02143830.7 | 申请日： | 2002-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN1430255A | 公开（公告）日： | 2003-07-16 |
| 发明（设计）人： | 葉家福 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L21/00 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 李玲 |
| 地址： | 台湾省新竹科 *** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 揭示了一种检测图案缺陷过程的方法，其中，形成一层，从而在基片上产生信噪比。本发明还提供了一种检测图案缺陷过程的方法。首先，提供基片。接着，在基片上形成器件剖面，其中，器件剖面包含缺陷部分。随后，在器件剖面和基片上形成一层，其中，层具有不同于器件剖面蚀刻选择性的蚀刻选择性。下一步，除去一部分层使之在器件剖面上截断，并产生反向掩模。随后，使用反向掩模作为掩模在基片上蚀刻器件剖面。最后，除去反向掩模。 | ||
| 搜索关键词： | 检测 图案 缺陷 过程 方法 | ||
【主权项】：
1.一种检测图案缺陷过程的方法，其特征在于，所述的方法包括：提供基片；在所述基片上形成器件，其中，所述器件包含缺陷部分；在所述的器件和所述的基片上形成一层，其中，所述的层具有不同于所述器件蚀刻选择性的蚀刻选择性；除去一部分停留在所述器件上的所述层，并形成反向掩模；使用所述反向掩模作为掩模蚀刻所述基片上的所述器件；除去所述反向掩模。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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