[发明专利]具有CMOS电路的电子设备有效
| 申请号： | 02142813.1 | 申请日： | 2002-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN1409489A | 公开（公告）日： | 2003-04-09 |
| 发明（设计）人： | 宇都宫文靖 | 申请（专利权）人： | 精工电子有限公司 |
| 主分类号： | H03K19/0948 | 分类号： | H03K19/0948;H03K19/007 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 栾本生,梁永 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 作为SOI结构的MOS晶体管的耗散型n沟道MOS晶体管(以后称为“D型NMOS”)被放置在CMOS电路的正的电源端子与电源单元的正的端子之间，以便把它的源极连接到CMOS电路的正的电源端子，把它的漏极连接到电源单元的正的端子，以及把一个电压输入到它的栅极，这样，即使电源单元的正的端子的电压超过CMOS电路的运行电压的上限时，D型NMOS的源极仍等于或低于CMOS电路的运行电压的上限，以及当电源装置的正的端子的电压是在CMOS电路的运行电压的下限附近时它是与电源装置的正的端子的电压相同的电压。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 cmos 电路 电子设备 | ||
【主权项】：
1.一种电子设备，包括具有想要功能的CMOS电路和用于提供驱动CMOS电路的功率的电源装置，其中该CMOS电路具有至少一个由完全耗散型SOI结构的MOS晶体管构建的内部电路，其中耗散型n沟道MOS晶体管被放置在电源装置的正端子与该一个内部电路的正的电源端子之间，它在漏极电压是预定的电压或更高的情形下把源极电压压缩到想要的电压或更低，以及它给出栅极电压，以使得在漏极电压低于预定的电压的情形下，源极电压变成为等于漏极电压，以及其中该一个内部电路由电源装置的功率驱动，它是从耗散型n沟道MOS晶体管的漏极提供到它的源极的。
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