[发明专利]在发射层中具有二芳基蒽梯形聚合物的电场致发光器件无效
| 申请号： | 02142114.5 | 申请日： | 2002-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN1407838A | 公开（公告）日： | 2003-04-02 |
| 发明（设计）人： | 郑世莺;石建民 | 申请（专利权）人： | 伊斯曼柯达公司 |
| 主分类号： | H05B33/14 | 分类号： | H05B33/14;H01L33/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 张元忠,郭广迅 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 具有阳极，阴极和设置在阳极和阴极之间的发射层的有机发光二极管，该发射层包括下列重复单元，其用于形成包括以下结构的均聚物或共聚物，其中各术语如说明书中所定义。 | ||
| 搜索关键词： | 发射 具有 二芳基蒽 梯形 聚合物 电场 发光 器件 | ||
【主权项】：
1.具有阳极，阴极和设置在阳极和阴极之间的发射层的有机发光二极管，该发射层包括下列重复单元，其用于形成包括以下结构的均聚物或共聚物：其中：0≤x＜1，0＜y≤1，和x+y＝1；S和T各自独立地是化学键，氧或硫原子，或-R，或N-R，其中C是碳原子，N是氮原子，和R是取代基，该取代基包括氢，具有1-24个碳原子的烷基，或具有6-28个碳原子的芳基或取代芳基，或具有4-40个碳原子的杂芳基或取代杂芳基，或氰基，硝基，氯，溴，或氟原子；在包括D和E的每个环中，如果D或E是单键，则其它基团不是单键并且是R-C-R，其中C是碳原子和R是取代基；Ar1，Ar2，和Ar各自是具有6-40个碳原子的芳基或取代芳基；或Ar1，Ar2，和Ar各自是具有4-40个碳原子的取代杂芳基或未被取代的杂芳基。
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