[发明专利]在发射层中具有二芳基蒽梯形聚合物的电场致发光器件无效
| 申请号： | 02142114.5 | 申请日： | 2002-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN1407838A | 公开（公告）日： | 2003-04-02 |
| 发明（设计）人： | 郑世莺;石建民 | 申请（专利权）人： | 伊斯曼柯达公司 |
| 主分类号： | H05B33/14 | 分类号： | H05B33/14;H01L33/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 张元忠,郭广迅 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发射 具有 二芳基蒽 梯形 聚合物 电场 发光 器件 | ||
【说明书】：
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