[发明专利]制造半导体器件的方法无效
| 申请号： | 02140933.1 | 申请日： | 2002-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN1396649A | 公开（公告）日： | 2003-02-12 |
| 发明（设计）人： | 市桥由成;池田典弘;后藤隆;臼井良辅;藤岛达也 | 申请（专利权）人： | 三洋电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 隆天国际专利商标代理有限公司 | 代理人： | 陈红,楼仙英 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种制造半导体器件的方法，即使在高度集成地设计该半导体器件时也能以高电可靠性形成连接孔。该半导体器件包括下层布线和形成在下层布线上并具有于下层布线连接的连接孔的层间绝缘膜。该方法包括通过刻蚀层间绝缘膜形成连接孔。连接孔使通过以下步骤形成的在第一刻蚀条件下通过至少在下层布线附近的物理反应，刻蚀部分下层布线，并在保证相对于下层布线的选择率的第二刻蚀条件下，刻蚀部分层间绝缘膜。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体器件的方法，该半导体器件包括下层布线和形成在下层布线上并具有与下层布线连接的连接孔的层间绝缘膜，该方法包括以下步骤：通过刻蚀层间绝缘膜形成连接孔，其中形成连接孔的步骤包括：在第一刻蚀条件下通过物理反应至少在下层布线附近刻蚀部分下层布线；和在保证相对于下层布线的选择率的第二刻蚀条件下，刻蚀部分层间绝缘膜。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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