[发明专利]半导体激光器件及其设计方法无效
| 申请号： | 02140616.2 | 申请日： | 1997-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN1427516A | 公开（公告）日： | 2003-07-02 |
| 发明（设计）人： | 林伸彦;井手大辅;茨木晃 | 申请（专利权）人： | 三洋电机株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/00 | 分类号： | H01S5/00 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 徐泰 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体激光器件包括第一导电型敷层、有源层、第二导电型敷层和电流阻挡层。设定有效折射率之差值Δn和开口宽度W[μm]，使之满足一预定关系。通过选择电流阻挡层的A1的组分比和开口两侧第二导电型敷层的厚度，可设定实折射率之差值Δn。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体激光器 及其 设计 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体激光器件，其特征在于，依次包括：第一导电型敷层；有源层；第二导电型敷层；以及电流阻挡层，所述电流阻挡层是对激光透明的层，其具有预定宽度的条形开口用于限制电流路径并形成该电流路径，其带隙大于所述第二导电型敷层的带隙，其折射率小于所述第二导电型敷层的折射率，所述第二导电型敷层有一平坦部分和在所述平坦部分上的条形脊形部分，所述脊形部分被限定位于所述电流阻挡层的所述开口内，如此形成所述电流阻挡层以覆盖住所述平坦部分的上表面和所述脊形部分的侧表面，所述有源层中对应于所述开口的区域内的有效折射率与所述有源层中对应于所述开口两侧的区域内的有效折射率之差值Δn以及所述开口宽度W[μm]满足下列关系：2.4×10-3≤Δn≤3.5×10-3，W≥2.5，W≤-1.33×103×Δn+8.723，以及W≤2.25×103×Δn-2.8。
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