[发明专利]可抹除可编程只读存储器的结构

摘要

一种可抹除且可程序只读存储器的结构，包括浮栅极、控制栅极、源/漏极区域、内层介电层、内金属介电层、第一金属层与第二金属层。其配置控制栅极位于浮栅极上；源/漏极区域则位于基底中，且邻接控制栅极与浮栅极；位于控制栅极上，且不遮蔽到浮栅极的是第一金属层；而内层介电层位于控制栅极与第一金属层之间；位于第一金属层上的第二金属层遮蔽部分的浮栅极；而内金属介电层位于第一与第二金属层之间。此外，还包括连接源/漏极区域与第一金属层的接触窗；以及连接第一和第二金属层的介层窗。

主权项

1、一种可抹除可编程只读存储器的结构，其特征在于：包括：一基底；复数条控制栅极，位于该基底上；复数个浮栅极，位于该基底与该些控制栅极之间；复数个源/漏极区域，位于该基底内并邻接该些浮栅极；复数条第二金属层，位于该些控制栅极上并与该些控制栅极方向垂直，且该些第二金属层遮蔽部分该些浮栅极；复数个第一金属层，位于该些控制栅极与该些第二金属层之间，且邻近该些浮栅极而不覆盖于该些浮栅极的上方；复数个介层窗，位于该些第一金属层与该些第二金属层之间，并连接该些第一金属层与该些第二金属层。