[发明专利]半导体器件的生产方法及其使用的浆体无效
| 申请号： | 02140212.4 | 申请日： | 2002-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN1395295A | 公开（公告）日： | 2003-02-05 |
| 发明（设计）人： | 胜村宣仁;胜村义辉;佐藤秀己;内田宪宏;金井史幸 | 申请（专利权）人： | 株式会社日立制作所 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;C09K3/14;C09G1/02 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 卢新华,邰红 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 使用一种在基板材料(特别地，二氧化硅)上的抛光速率，与在内埋膜材料(特别地，钨)上的抛光速率和在阻挡膜材料(特别地，二氧化钛)上的抛光速率彼此基本相等的浆体，同时抛光内埋膜和阻挡膜。这可以高抛光速率实现无任何台阶或多个台阶的内埋结构。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 生产 方法 及其 使用 | ||
【主权项】：
1、一种生产半导体器件的方法，该方法包括下述步骤：在硅基板表面上形成槽；以这样的方式在基板表面上生成阻挡膜，以致槽的内壁和底部被阻挡膜覆盖；以这样的方式生成内埋膜，以其填充槽的内部；以及抛光在硅基板上的阻挡膜和内埋膜中的至少一种膜，其中抛光步骤包括使用第三种浆体对在硅基板上的阻挡膜和内埋膜中的至少一种膜进行化学-机械抛光，该第三种浆体是将在内埋膜上抛光速率低于在硅基板上的抛光速率的第一种浆体与在内埋膜上抛光速率高于在硅基板上的抛光速率的第二种浆体混合制备得到的。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社日立制作所，未经株式会社日立制作所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/02140212.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：录像机中使用的视频存储管理器和操作方法
- 下一篇：半导体装置及其制造方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
