[发明专利]氧化羰基铁光刻掩膜版无效
| 申请号： | 02139397.4 | 申请日： | 2002-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN1479171A | 公开（公告）日： | 2004-03-03 |
| 发明（设计）人： | 付增荣 | 申请（专利权）人： | 付增荣 |
| 主分类号： | G03F1/16 | 分类号： | G03F1/16 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 71310*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种氧化羰基掩膜版产品的制作，其主要特点是采用化学汽相淀积法(CVD法)，使氮气携带五羰基铁蒸汽。在一定温度条件下，与制板玻璃表面发生反应，反应后在玻璃基板表面生成一层氧化羰基铁膜，主要方程式：4Fe(CO)5+3O2＝2Fe2O3↓+20CO↑本发明生产成本低，工艺简便，广泛应用于各种半导体和集成电路版的光刻制作。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化 羰基 光刻 掩膜版 | ||
【主权项】：
1、一种氧化羰基铁掩膜版。本发明的特征是：使用化学汽相淀积法CVD法使氮气携带Fe(CO)5蒸汽，在120℃±2℃与玻璃板表面发生反应，使玻璃基板表面生成一层氧化羰基铁薄膜，反应方程式为：
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G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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