[发明专利]一种太阳能电池用高纯度硅及其生产方法无效
| 申请号： | 02135841.9 | 申请日： | 2002-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN1503377A | 公开（公告）日： | 2004-06-09 |
| 发明（设计）人： | 郑智雄 | 申请（专利权）人： | 郑智雄 |
| 主分类号： | H01L31/0264 | 分类号： | H01L31/0264;C30B11/00 |
| 代理公司： | 厦门市首创君合专利事务所有限公司 | 代理人： | 张松亭 |
| 地址： | 361001福建*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明提供一种纯度为99.90－99.999％的太阳能电池用高纯度硅及其生产方法。该方法包括将作为原料的金属硅熔炼成硅熔体，往该硅熔体中添加石灰、氧化铁、萤石；和/石灰、萤石；和/吹入氧气、氯气、含水的氢气以及氩气；最终使该硅熔体中在结晶器中顺序定向凝固步骤。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 太阳能电池 纯度 及其 生产 方法 | ||
【主权项】：
1.一种太阳能电池用高纯度硅，其特征在于：所述高纯度硅的纯度为99.90-99.999％(重量)。
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H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
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