[发明专利]镍钛记忆合金与压电陶瓷异质三步复合工艺无效
| 申请号： | 02131042.4 | 申请日： | 2002-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN1411080A | 公开（公告）日： | 2003-04-16 |
| 发明（设计）人： | 刘庆锁 | 申请（专利权）人： | 天津理工学院 |
| 主分类号： | H01L41/24 | 分类号： | H01L41/24;C23C16/40;C23C16/56 |
| 代理公司： | 天津德赛律师事务所 | 代理人： | 卢枫 |
| 地址： | 300191 *** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 一种镍钛记忆合金与压电陶瓷异质三步复合工艺，其特征在于它是由以下三步骤组成第一步镍钛(NiTi)薄片基片的表面处理；第二步在镍钛(NiTi)基片上用化学法沉积压电陶瓷(PZT)薄膜；第三步原位热反应成材；所说的以上三步骤为空气环境，该过程使用常规加热炉。本发明的优越性在于1.直接通过原位热反应获得二氧化钛(TiO2)陶瓷层与富镍(Ni)的镍钛合金区过渡层并借此解决了镍钛(NiTi)与压电陶瓷(PZT)异质间界面结合的问题；2.可直接获得一种新型功能复合材料，如智能阻尼材料。 | ||
| 搜索关键词： | 记忆 合金 压电 陶瓷 异质三步 复合 工艺 | ||
【主权项】：
1、一种镍钛记忆合金与压电陶瓷异质三步复合工艺，其特征在于它是由以下三步骤组成：第一步：镍钛薄片基片的表面处理；第二步，在镍钛基片上用化学法沉积压电陶瓷薄膜；第三步，原位热反应成材；所说的镍钛薄片基片的表面处理是采用化学方法处理，将表面进行清洗；所说的在镍钛基片上用化学法沉积压电陶瓷薄膜是用化学沉积法在镍钛基片上得到压电陶瓷薄膜，控制温度在300-350℃；所说的原位热反应成材是使镍钛记忆合金与压电陶瓷异质异质复合材料经热反应烧成，控制温度在600-700℃，该步骤在镍钛薄片基片与压电陶瓷薄膜之间原位形成二氧化钛陶瓷层与富镍的镍钛合金区过渡层；所说的以上三步骤为空气环境，该过程使用常规加热炉。
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