[发明专利]异质结双极型晶体管和利用它构成的半导体集成电路器件有效
| 申请号： | 02129843.2 | 申请日： | 2002-08-15 |
| 公开（公告）号： | CN1433082A | 公开（公告）日： | 2003-07-30 |
| 发明（设计）人： | 丹羽隆树;岛胁秀德;东晃司;黑泽直人 | 申请（专利权）人： | NEC化合物半导体器件株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/737 | 分类号： | H01L29/737 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 谷惠敏,袁炳泽 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 异质结双极型晶体管具有提高的击穿电压，并抑制IC－VCE特性的增长特性的退化。集电极区域包括半导体第一、第二集电极层。第一集电极层是由掺杂或未掺杂的半导体制成的，与副集电极区域接触。第二集电极层是由掺杂或未掺杂的半导体制成的，具有比第一集电极层窄的带隙，与基极区域接触。第三集电极层具有比第二集电极层高的掺杂浓度，被第一集电极层和第二集电极层夹在当中。 | ||
| 搜索关键词： | 异质结双极型 晶体管 利用 构成 半导体 集成电路 器件 | ||
【主权项】：
1.一种异质结双极型晶体管，包括：副集电极区域，它由第一导电类型的半导体制成；集电极区域，它由第一导电类型的半导体制成，与副集电极区域接触；基极区域，它由第二导电类型的半导体制成，与集电极区域接触；发射极区域，它由第一导电类型的半导体制成，与基极区域接触；集电极区域包括：第一集电极层，它由第一导电类型半导体或未掺杂的半导体制成，与副集电极区域接触；第二集电极层，它由第一导电类型半导体或未掺杂的半导体制成，具有比第一集电极层更窄的带隙，与基极区域接触；第三集电极层，它由比第二集电极层掺杂浓度更高的，第一导电类型的半导体制成，在第一集电极层和第二集电极层之间。
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