[发明专利]铁电存储器晶体管的制造方法无效
| 申请号： | 02128591.8 | 申请日： | 2002-08-13 |
| 公开（公告）号： | CN1402337A | 公开（公告）日： | 2003-03-12 |
| 发明（设计）人： | 许胜籐;李廷凯;B·D·乌里克 | 申请（专利权）人： | 夏普公司 |
| 主分类号： | H01L21/822 | 分类号： | H01L21/822;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 吴立明,罗朋 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种制造铁电存储器晶体管的方法，它包括下列步骤制备硅衬底，包括在其上形成多于一个的有源区；在硅衬底上淀积栅绝缘层，并在栅绝缘层上淀积多晶硅层；制作源区、漏区和栅电极；淀积底部电极材料层，并完成底部电极而不损伤下方的栅绝缘层和硅衬底；在底部电极上淀积铁电材料层；在铁电材料层上淀积顶部电极材料层；以及完成晶体管，包括钝化氧化物淀积、接触孔腐蚀以及金属化。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 晶体管 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造铁电存储器晶体管的方法，它包含：制备硅衬底，包括在其上形成多于一个的有源区；在硅衬底上淀积栅绝缘层，并在栅绝缘层上淀积多晶硅层；制作源区、漏区和栅电极；淀积底部电极材料层，并完成底部电极而不损伤下方的栅绝缘层和硅衬底；在底部电极上淀积铁电材料层；在铁电材料层上淀积顶部电极材料层；以及完成晶体管，包括钝化氧化物淀积、接触孔腐蚀以及金属化。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
